Datasheet Nexperia PSMN0R9-30ULD — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияPSMN0R9-30ULD

SOT1023A with improved creepage and clearance to meet UL2595 requirements.

Datasheets

PSMN0R9-30ULD - N-channel 30 V, 0.87 mГЋВ©, 300 A logic level MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595, using NextPowerS3 Schottky-Plus Technology
PDF, 270 Кб, Версия: 23-05-2018, Файл закачен: 4 июл 2018
Выписка из документа

Цены

PSMN0R9 Купить ЦенаКупить PSMN0R9 на РадиоЛоцман.Цены — от 33,16 до 195
18 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 272Вт; SOT669
Стандарт СИЗ
Россия
PSMN0R9-25YLC,115
Philips
33 ₽
ЭИК
Россия
PSMN0R9-25YLDX
NXP
от 39 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
PSMN0R9-25YLC,115
Nexperia
по запросу
ДКО Электронщик
Россия
PSMN0R9-25YLC
NXP
по запросу

Подробное описание

300 Amp logic level gate drive N-channel enhancement mode MOSFET in LFPAK56 package. NextPowerS3 portfolio utilising Nexperia's unique 'њSchottkyPlus'ќ technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.

Статус

PSMN0R9-30ULDX
Статус продуктаВ производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

PSMN0R9-30ULDX
КорпусLFPAK56-UL2595

Модельный ряд

Серия: PSMN0R9-30ULD (1)

Классификация производителя

  • MOSFETs

На английском языке: Datasheet Nexperia PSMN0R9-30ULD

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

Запись онлайн конференции - Путь к созданию SDR III. Третий главный технологический шаг в создании платформы SDR