Datasheet Nexperia GAN063-650WSA — Даташит

ПроизводительNexperia
СерияGAN063-650WSA
Datasheet Nexperia GAN063-650WSA

650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET

Datasheets

Datasheet GAN063-650WSA
PDF, 289 Кб, Язык: анг., Версия: 27112019, Файл закачен: 5 дек 2019, Страниц: 12
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
Выписка из документа

Цены

Купить GAN063 на РадиоЛоцман.Цены
Элитан
Россия
GAN063-650WSAQ
NXP
787 ₽

Подробное описание

The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET.

It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. AEC-Q101 qualified.

Модельный ряд

Серия: GAN063-650WSA (1)

На английском языке: Datasheet Nexperia GAN063-650WSA

JLCPCP: 2USD 2Layer 5PCBs, 5USD 4Layer 5PCBs