Datasheet Rohm SCT3160KLGC11 — Даташит
Nch Silicon-carbide (SiC) MOSFET
Datasheets
Datasheet SCT3160KL
PDF, 716 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 18 янв 2020, Страниц: 13
N-channel SiC power MOSFET
N-channel SiC power MOSFET
Выписка из документа
Цены
Купить SCT3160KLGC11 на РадиоЛоцман.Цены — от 283 до 3 339 ₽ 26 предложений от 11 поставщиков Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 17А, 1.2кВ, 0.16Ом, 18В, 5.6В | |||
SCT3160KLGC11 Rohm | от 283 ₽ | ||
SCT3160KLGC11 Rohm | от 290 ₽ | ||
SCT3160KLGC11 Rohm | 612 ₽ | ||
SCT3160KLGC11 Rohm | от 2 830 ₽ |
Подробное описание
SCT3160KL is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET.
Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.
Модельный ряд
Серия: SCT3160KL (1)
- SCT3160KLGC11
Классификация производителя
- SiC Power Devices > SiC MOSFETs