Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Rohm SCT3160KL — Даташит

ПроизводительRohm
СерияSCT3160KL
Datasheet Rohm SCT3160KL

Nch Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Datasheets

Datasheet SCT3160KL
PDF, 716 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 18 янв 2020, Страниц: 13
N-channel SiC power MOSFET
Выписка из документа

Цены

AiPCBA
Весь мир
SCT3160KL1 038 ₽
ChipWorker
Весь мир
SCT3160KL1 038 ₽
Acme Chip
Весь мир
SCT3160KLпо запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

SCT3160KL is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET.

Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.

Модельный ряд

Серия: SCT3160KL (1)

Классификация производителя

  • SiC Power Devices > SiC MOSFETs

На английском языке: Datasheet Rohm SCT3160KL

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России