Datasheet ON Semiconductor FDV303N — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | FDV303N |
| Модель | FDV303N |
N-канальный цифровой полевой транзистор 25 В, 0,68 А, 0,45 Ом
Datasheets
Digital FET, N-Channel
 Купить FDV303N на РадиоЛоцман.Цены — от 0.25 до 53 ₽49 предложений от 24 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 20Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 1,25Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 300Емкость, пФ:... | |||
| FDV303N | 1.46 ₽ | ||
| FDV303N(UMW) Youtai | 4.03 ₽ | ||
| FDV303N Fairchild | по запросу | ||
| FDV303N(T+R)D/C00 Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот процесс с очень высокой плотностью предназначен для минимизации сопротивления в открытом состоянии при низких состояниях привода затвора. Это устройство разработано специально для применения в схемах батарей, использующих один литиевый или три кадмиевых или NMH-элемента. Его можно использовать в качестве инвертора или для высокоэффективного миниатюрного дискретного преобразования постоянного тока в компактные портативные электронные устройства, такие как сотовые телефоны и пейджеры. Это устройство имеет превосходное сопротивление в открытом состоянии даже при напряжении управления затвором всего 2,5 В.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SOT-23-3 |
| Код корпуса | 318-08 |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
Модельный ряд
- FDV303N FDV303N-F169
Классификация производителя
- Discrete & Power Modules > MOSFETs
