Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet ON Semiconductor FDV303N — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияFDV303N
МодельFDV303N

N-канальный цифровой полевой транзистор 25 В, 0,68 А, 0,45 Ом

Datasheets

Datasheet FDV303N
PDF, 270 Кб, Язык: анг., Версия: 5, Файл закачен: 3 фев 2022, Страниц: 7
Digital FET, N-Channel
Выписка из документа

Цены

46 предложений от 24 поставщиков
Транзисторы / Транзисторы смд 25V 0.68A SOT-23 FDV303N ON, FDV303N-(SOT-23) KLS, WM03N06M WAYON, FDV303N FAIR,
ЗУМ-СМД
Россия
FDV303N
Kexin
0.30 ₽
FDV303N
Fairchild
1.09 ₽
FDV303N
ON Semiconductor
от 21 ₽
FDV303N
ON Semiconductor
от 26 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным режимом производятся с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.

Этот процесс с очень высокой плотностью предназначен для минимизации сопротивления в открытом состоянии при низких состояниях привода затвора. Это устройство разработано специально для применения в схемах батарей, использующих один литиевый или три кадмиевых или NMH-элемента. Его можно использовать в качестве инвертора или для высокоэффективного миниатюрного дискретного преобразования постоянного тока в компактные портативные электронные устройства, такие как сотовые телефоны и пейджеры. Это устройство имеет превосходное сопротивление в открытом состоянии даже при напряжении управления затвором всего 2,5 В.

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусSOT-23-3
Код корпуса318-08

Экологический статус

Стандарты и нормыPb-free | Halide free

Модельный ряд

Серия: FDV303N (2)

Классификация производителя

  • Discrete & Power Modules > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor FDV303N

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России