Datasheet IXYS IXTP44P15T — Даташит
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXTP44P15T |
| Модель | IXTP44P15T |
Мощные МОП-транзисторы TrenchP
Datasheets
Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа
Цены
 Купить IXTP44P15T на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 1 054 ₽20 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; TrenchPTM; полевой; -150В; -44А; 298Вт; 140нс | |||
| IXTP32P20T IXTP36N30P IXTP36P15P IXTP4N50 IXTP4N65X2 IXTP4N60P IXTP4N80P IXTP42N15T IXTP42N25P IXTP44P15T TO-220 | 54 ₽ | ||
| IXTP44P15T MOSFET P-CH 150V 44A | 175 ₽ | ||
| IXTP44P15T IXYS | 362 ₽ | ||
| IXTP44P15T IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.
Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.
Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.
Другие варианты исполнения
IXTA44P15T IXTH44P15T IXTQ44P15T
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate
