Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IXYS IXTA44P15T — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTA44P15T
МодельIXTA44P15T

Мощные МОП-транзисторы TrenchP

Datasheets

Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа

Цены

23 предложений от 11 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; TrenchPTM; полевой; -150В; -44А; 298Вт; TO263
ЧипСити
Россия
IXTA44P15T-TRL
IXYS
286 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXTA44P15T-TRL
IXYS
301 ₽
Akcel
Весь мир
IXTA44P15T
IXYS
от 483 ₽
Элитан
Россия
IXTA44P15T
Littelfuse
826 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.

Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.

Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.

Другие варианты исполнения

IXTH44P15T IXTP44P15T IXTQ44P15T

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate

На английском языке: Datasheet IXYS IXTA44P15T

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России