Datasheet Fairchild BSS100 — Даташит
Производитель | Fairchild |
Серия | BSS100 |
Модель | BSS100 |
N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления
Datasheets
Datasheet BSS100, BSS123
PDF, 293 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 июн 2023, Страниц: 10
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Выписка из документа
Цены
![]() 14 предложений от 11 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | |||
BSS100 ON Semiconductor | от 2.05 ₽ | ||
BSS100 | 29 ₽ | ||
BSS100 Infineon | по запросу | ||
BSS100-E6288 Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот процесс с очень высокой плотностью был специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения.
Этот продукт особенно подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшими серводвигателями, драйверы затворов мощных полевых МОП-транзисторов и другие переключающие приложения.
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- Discrete & Power Modules > MOSFETs