Datasheet Fairchild BSS123 — Даташит
Производитель | Fairchild |
Серия | BSS123 |
Модель | BSS123 |
N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления
Datasheets
Datasheet BSS100, BSS123
PDF, 293 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 июн 2023, Страниц: 10
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Выписка из документа
Цены
Купить BSS123 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.11 до 75 ₽ 61 предложений от 32 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 6000Емкость, пФ:... | |||
BSS123 Hottech | 0.11 ₽ | ||
BAT54C, KL3, BAT54S, KL4, BAT54, KL1, BAT54A, KL2, BSS138, J1, BSS84, PD BSS123, SA, bab99, A7, BAW56, A1, bab70, A4, BAS16, A6, SOT-23 | 0.32 ₽ | ||
BSS123 | 1.75 ₽ | ||
BSS123,215PBF NXP | по запросу |
Подробное описание
Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот процесс с очень высокой плотностью был специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии и обеспечения превосходных характеристик переключения.
Этот продукт особенно подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшими серводвигателями, драйверы затворов мощных полевых МОП-транзисторов и другие переключающие приложения.
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- Discrete & Power Modules > MOSFETs