Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheets Nexperia - 6

Производитель: "Nexperia"
Найдено: 141 Вывод: 101-120

Вид: Список / Картинки

  1. Datasheet Nexperia MMBZ15VAL,215
    Низкоемкостный однонаправленный двойной защитный диод ESD
  2. Datasheet Nexperia MMBZ12VAL,215
    Низкоемкостный однонаправленный двойной защитный диод ESD
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения
  1. Datasheet Nexperia MMBZ10VAL,215
    Низкоемкостный однонаправленный двойной защитный диод ESD
  2. Datasheet Nexperia PHK12NQ03LT,518
    N-канальный TrenchMOS логический уровень FET
  1. Datasheet Nexperia BSP122,115
    N-канальный вертикальный D-MOS логический уровень FET
  2. Datasheet Nexperia PESD2V8R1BSFYL
    Двунаправленный диод защиты от электростатического разряда сверхнизкой емкости Двунаправленный диод защиты от электростатического разряда (ESD) сверхнизкой емкости, часть семейства TrEOS Protection. Это устройство размещено в безвыводном сверхмалом ...
  3. Datasheet Nexperia BC817DPN,115
  4. Datasheet Nexperia PCMF3USB3BA/CZ
    Фильтр синфазных электромагнитных помех для дифференциальных каналов со встроенной двунаправленной защитой от электростатического разряда Фильтры электромагнитных помех общего режима (EMI) со встроенной двунаправленной защитой от ...
  5. Datasheet Nexperia PCMF2USB3BA/CZ
    Фильтр синфазных электромагнитных помех для дифференциальных каналов со встроенной двунаправленной защитой от электростатического разряда Фильтры электромагнитных помех общего режима (EMI) со встроенной двунаправленной защитой от ...
  6. Datasheet Nexperia PCMF1USB3BA/CZ
    Фильтр синфазных электромагнитных помех для дифференциальных каналов со встроенной двунаправленной защитой от электростатического разряда Фильтры электромагнитных помех общего режима (EMI) со встроенной двунаправленной защитой от ...
  7. Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ
    650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) GAN063-650WSA — это 650 В, 50 мОм полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN). Это нормально выключенное устройство, которое сочетает в себе передовые технологии высоковольтных ...
  8. Datasheet Nexperia BCV61C,215
    NPN универсальные двойные транзисторы Универсальные двойные транзисторы NPN в небольшом пластиковом корпусе SOT143B для поверхностного монтажа (SMD).
  9. Datasheet Nexperia BCV61B,215
    NPN универсальные двойные транзисторы Универсальные двойные транзисторы NPN в небольшом пластиковом корпусе SOT143B для поверхностного монтажа (SMD).
  10. Datasheet Nexperia BCV61A,215
    NPN универсальные двойные транзисторы Универсальные двойные транзисторы NPN в небольшом пластиковом корпусе SOT143B для поверхностного монтажа (SMD).
  11. Datasheet Nexperia BCV61,235
    Двойные транзисторы общего назначения NPN Двойные NPN-транзисторы общего назначения в небольшом пластиковом корпусе SOT143B для устройства поверхностного монтажа (SMD). Функции: Низкий ток (макс. 100 мА) Низкое напряжение (макс. 30 В) Совпадающие ...
  12. Пара транзисторов общего назначения NPN/PNP в очень маленьком пластиковом корпусе для устройств поверхностного монтажа (SMD) SOT363 (SC-88).
  13. Диоды стабилизатора напряжения
  14. PNP-транзистор переключения в пластиковом корпусе SOT23. NPN-дополнение: MMBT3904.
  15. Автомобильный логический уровень N-канального MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.
  16. Автомобильный стандартный N-канальный MOSFET в корпусе LFPAK33 с использованием технологии Trench 9 TrenchMOS. Этот продукт был разработан и сертифицирован по AEC-Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.

Сортировать по: релевантность / дата

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка