Клеммные колодки Keen Side

Datasheets STMicroelectronics - 8

Производитель: "STMicroelectronics"
Найдено: 4,405 Вывод: 141-160

Вид: Список / Картинки

  1. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-3PF Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  2. N-канал 1500 В, 5 Ом, 4 А, силовой полевой МОП-транзистор PowerMESH (TM) в TO-247 Все особенности 100% лавинные испытания Высокая скорость переключения Собственные емкости и Qg минимизированы Длина пути утечки составляет 5,4 мм (тип.) Для ТО-3ПФ. ...
  1. 4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET Все особенности Шина высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур ...
  2. Высокая полоса пропускания (22 МГц) Низкое смещение (200 мкВ) Операционный усилитель 5 В Все особенности Произведение на ширину полосы частот 22 МГц, единичное усиление стабильно Входное напряжение смещения с высокой точностью: 50 мкВ тип., 200 мкВ ...
  1. 16-битный изолированный сигма-дельта модулятор, несимметричный и LVDS интерфейсы Все особенности Вход внешнего тактового сигнала до 25 МГц для упрощения синхронизации ± 320 мВ полный диапазон аналогового входа 16-битное разрешение, отсутствие ...
  2. N-канал 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ dv / dt УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ DPAK (TO-252) СИЛОВОЙ ...
  3. N-канал 60 В - 0,022 Ом - 35 А Силовой МОП-транзистор DPAK / IPAK STripFET
  4. N-канальный, 60 В, 0,022 Ом, тип., 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
  5. Автомобильный N-канал, 60 В, 22 мОм, 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Соответствует AEC-Q101 Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
  6. Высоковольтный, прецизионный, двунаправленный усилитель измерения тока Все особенности Широкое синфазное напряжение: от - 20 до 70 В Напряжение смещения: макс. ± 200 мкВ Напряжение питания от 2,7 до 5,5 В Доступен другой коэффициент усиления ...
  7. Высоковольтный, прецизионный, двунаправленный усилитель измерения тока Все особенности Широкое синфазное напряжение: от - 20 до 70 В Напряжение смещения: макс. ± 200 мкВ Напряжение питания от 2,7 до 5,5 В Доступен другой коэффициент усиления ...
  8. Высоковольтный, прецизионный, двунаправленный усилитель измерения тока Все особенности Широкое синфазное напряжение: от - 20 до 70 В Напряжение смещения: макс. ± 200 мкВ Напряжение питания от 2,7 до 5,5 В Доступен другой коэффициент усиления ...
  9. Усилитель звука DMOS 100 В, 100 Вт с отключением звука и режимом ожидания TDA7294 - это монолитная интегральная схема в корпусе Multiwatt15, предназначенная для использования в качестве усилителя аудио класса AB в полевых приложениях Hi-Fi ...
  10. Драйвер полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных GaN-транзистора в асимметричной полумостовой ...
  11. P-КАНАЛ 30 В - 0,025 Ом - МОП-транзистор STripFET II, 24 А Этот силовой полевой МОП-транзистор является последней разработкой уникального процесса STMicroelectronics на основе полоски «единого размера». Полученный транзистор демонстрирует ...
  12. Согласование импеданса МШУ STA8089 / STA8090 с защитой от электростатического разряда в SOT23 Для использования в приемнике GNSS, BPF8089-01SC6 представляет собой интегрированный ВЧ-интерфейс со схемой согласования входного импеданса, который ...
  13. Модуль со сверхнизким энергопотреблением - двухъядерный Arm Cortex-M4 MCU 64 МГц, Cortex-M0 + 32 МГц с 1 Мбайт флэш-памяти, Bluetooth LE 5.2, 802.15.4, Zigbee, Thread, USB, ЖК-дисплей, AES-256 STM32WB5MMG - это сертифицированный беспроводной модуль ...
  14. 30 A - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Ins. Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T3035H-8I в изолированном корпусе TO-220AB обеспечивает улучшенное тепловое управление: этот симистор на 30 А является правильным ...
  15. 30 А - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T3035H-8T, расположенный в TO-220AB, обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 30 А является правильным выбором ...
  16. 20 А - 800 В - 150 C Симистор серии H в TO-220AB Специально разработанный для работы при 800 В и 150 C, симистор T2035H-8T, расположенный в TO-220AB, обеспечивает улучшенное управление температурой: этот симистор на 20 А является правильным выбором ...

Сортировать по: релевантность / дата

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка