Наименование модели: NTD25P03LT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 25 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD25P03L Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt Logic Level P-Channel DPAK Designed ...
Наименование модели: NTD25P03LG Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 25 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD25P03L Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt Logic Level P-Channel DPAK Designed for ...
Наименование модели: NTD20P06LT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 15.5 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD20P06L, NTDV20P06L Power MOSFET -60 V, -15.5 A, Single P-Channel, DPAK ...
Наименование модели: NTD20P06LG Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 15.5 А, D-PAK Скачать Data Sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: -15.5 А Drain Source Voltage Vds: -60 В On Resistance Rds(on): ...
Наименование модели: NDD05N50Z-1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор транзистор Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 4.7 А Drain Source Voltage Vds: 500 В On Resistance Rds(on): 1.25 ...
Наименование модели: MTD6N15T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel ...
Наименование модели: NTD6416ANLT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD6416ANL N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mW Features · · · · Low RDS(on) High ...
Наименование модели: NTD6414ANT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NTD6414AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mW Features · · · · Low RDS(on) High Current ...
Наименование модели: NDD05N50ZT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор транзистор Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NDF05N50Z, NDP05N50Z, NDD05N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 W Features · · · · Low ON ...
Наименование модели: IRLR120NTRPBF Производитель: International Rectifier Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 10 А, D-PAK Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 10 А Drain ...
Наименование модели: IRFR3910TRLPBF Производитель: International Rectifier Описание: N CHAN полевой транзистор, 100 В, 16 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91364B IRFR/U3910 HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance l ...
Наименование модели: IRLR6225TRPBF Производитель: International Rectifier Описание: N CH полевой транзистор, 20 В, 100 А, 3-DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97594 IRLR6225PbF HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max (@VGS = ...
Наименование модели: FQD18N20V2TM Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 15 мА Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 15 мА Drain Source Voltage Vds: 200 В On Resistance ...
Наименование модели: FQB34P10TM Производитель: Fairchild Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -100 В, 33.5 мА Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 33.5 мА Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance ...
Наименование модели: MJD253-1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Мощность транзистор, PNP, -100 В, D-PAK Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В Transition Frequency Typ ...
Наименование модели: MJD50T4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Биполярный транзистор, NPN, 400 В D-PAK Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В Transition Frequency Typ ft: 10 МГц Power ...
Наименование модели: MJD31C1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, DPAK Скачать Data Sheet Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В DC Collector Current: 3 А DC Current Gain: 25 Количество выводов: 3 ...