Наименование модели: PMEG6010AED Производитель: NXP Описание: Диод, Шоттки, SOT-457 Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 60 В Forward Current If(AV): 1 А Forward Voltage ...
Наименование модели: PIMT1 Производитель: NXP Описание: Транзистор, PNP, SOT-457 Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В Power ...
Наименование модели: IRLMS1503PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91508D IRLMS1503 HEXFET® Power MOSFET l l l l Generation V Technology ...
Наименование модели: IRLMS1503 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N LOGIC MICRO-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 9.1508C IRLMS1503 HEXFET® Power MOSFET l l l l Generation V Technology Micro6 ...
Наименование модели: IRLMS2002PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD- 95675 IRLMS2002PbF HEXFET® Power MOSFET l l l l l l Ultra Low ...
Наименование модели: IRLMS1902PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, MICRO-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91540C IRLMS1902 HEXFET® Power MOSFET l l l l Generation V Technology ...
Наименование модели: PBSS5350D Производитель: NXP Описание: Транзистор, PNP, SOT-457 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В Частота единичного усиления типовая: 100 МГц Power ...
Наименование модели: IRLMS6802TRPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, MICRO-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD- 94897 IRLMS6802PbF HEXFET® Power MOSFET l l l l l Ultra Low ...
