Массив семи дарлингтонов Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Семь массивов Дарлингтона Все функции Семь дарлингтонов в упаковке Выходной ток 500 мА на драйвер (600 мА пик) Выходное напряжение 50 В Встроенные подавляющие диоды для индуктивных нагрузок Выходы могут быть параллельны для более высокого тока ...
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n пекреключающих устройствах. Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n пекреключающих устройствах. Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n пекреключающих устройствах. Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n пекреключающих устройствах. Выпускаются в металлокерамических корпусах с гибкими выводами.
Пара транзисторов общего назначения 65 В, 100 мА NPN/NPN Технические характеристики: Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 65 В Ток коллектора постоянного тока: 100 мА Усиление постоянного тока: 200 Количество контактов: 6 Диапазон рабочих ...
