Цитата:

Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2012 John Fattaruso, США EDN При работе с дискретными полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом (JFET) иногда приходится принимать во внимание значительный разброс параметров у приборов одного типа. Передаточная характеристика JFET обычно аппроксимируется квадратичной функцией: ID = β(VGS−VP)2, где ID - ток стока, VGS - напряжение затвор-исток, β - крутизна характеристики, VP - напряжение отсечки.

Подробнее: Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Спасибо,полезно.

По ИГБТ такую тему,было-б хорошо

Спасибо, вспомнил старое! Спасибо!

Как контролировать температурную зависимость, нагрев транзистора при 10 омной нагрузке?

.....с помощью вентилятора........
P = 6x6/230 = 0,15652173913043478260869565217391 ватта........