Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Обсуждение: Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Специалист
 
Аватар для Robot Rlocman
 
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,672
Репутация: 267
258 0
19 0
 
11.03.2013 15:20 #1
Цитата:
Журнал РАДИОЛОЦМАН, июнь 2012 John Fattaruso, США EDN При работе с дискретными полевыми транзисторами с управляющим p-n переходом (JFET) иногда приходится принимать во внимание значительный разброс параметров у приборов одного типа. Передаточная характеристика JFET обычно аппроксимируется квадратичной функцией: ID = β(VGS−VP)2, где ID - ток стока, VGS - напряжение затвор-исток, β - крутизна характеристики, VP - напряжение отсечки.
Подробнее: Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
Оценка
XDR-E — компактные высокоэффективные блоки питания на DIN-рейку, разработанные MEAN WELL для современных промышленных задач. Новая серия отличается уменьшенными габаритами – размеры устройств сокращены на 45%, при этом сохраняется промышленная мощность; надежно работает в широком температурном диапазоне от -40°C до +70°C, что делает ее пригодной для использования в экстремальных условиях и демонстрирует энергоэффективность до 96%. В линейке также представлены новые модели на 12 В и 36 В.
Новичок
 
Регистрация: 15.12.2009
Сообщений: 300
Репутация: 44
36 62
2 1
 
11.03.2013 15:20 #2
Спасибо,полезно.
Оценка
КОМПЭЛ продолжает серию публикаций, посвященных азиатским АЦП, их ценовым и функциональным преимуществам и ограничениям. Во второй части дан подробный обзор Σ-Δ АЦП, востребованных в приложениях, где не требуются большие часто́ты дискретизации, но необходимо высокое разрешение оцифрованного сигнала. Рассказывается о ключевых особенностях ΣΔ-преобразователей, популярных моделях от азиатских производителей, а также особенностях их применения и возможных заменах западных аналогов.
Гуру
 
Регистрация: 10.11.2011
Адрес: Taganrog
Сообщений: 8,400
Репутация: 2223
2,208 486
17 2
 
11.03.2013 15:23 #3
По ИГБТ такую тему,было-б хорошо
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 04.02.2012
Сообщений: 61
Репутация: 17
9 1
3 0
 
11.03.2013 16:45 #4
Спасибо, вспомнил старое! Спасибо!
Оценка
Новичок
 
Регистрация: 22.09.2010
Сообщений: 14
Репутация: 10
0 1
0 0
 
09.09.2013 23:38 #5
Как контролировать температурную зависимость, нагрев транзистора при 10 омной нагрузке?
Оценка
Banned
 
Регистрация: 21.04.2012
Адрес: южнее Дуная
Сообщений: 4,312
Репутация: 419
500 352
141 0
 
10.09.2013 09:42 #6
.....с помощью вентилятора........
P = 6x6/230 = 0,15652173913043478260869565217391 ватта........
Последний раз редактировалось hrpankov; 10.09.2013 в 10:25.
Оценка
Ответ
Похожие темы
Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Часовой пояс GMT +3, время: 02:47.
Обратная связь РадиоЛоцман Вверх