Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

В этой схеме второй JFET Q₂ заменяет резистор R₂в схеме Рисунок 1

Авторы	Julius Foit
Основной документ	Статья «Решение проблем нижней граничной частоты в емкостных датчиках»
Описание	Рисунок 2
Формат / Размер файла	PDF / 14 Кб
Язык документа	русский

ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Другие материалы из основного документа

Статья «Решение проблем нижней граничной частоты в емкостных датчиках»

Рисунок 1. В этой схеме полевой транзистор эффективно умножает сопротивление резистора R₁
Рисунок 2. В этой схеме второй JFET Q₂ заменяет резистор R₂в схеме Рисунок 1
Рисунок 3. Операционный усилитель - еще одно средство достижения высокого импеданса предусилителя сигналов емкостных датчиков

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

Литий-тионилхлоридные батарейки – большая энергия в миниатюрном корпусе

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring