.. 14.3 мОм. Сопротивление открытого канала этого MOSFET на 28% ниже, чем у ближайших конкурирующих устройств в корпусах DPAK, при этом площадь устройства на 50% меньше, а по сравнению с решениями предыдущего поколения площадь сокращена на ...
.. typical at 10 V. The on-resistance of the Automotive Grade MOSFET is 28% lower than the closest competing device in the DPAK package while offering a 50% smaller footprint and 31% lower than previous-generation solutions. These values ...
.. 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ...
.. 60 В - 0,020 Ом - 28 А - МОП-транзистор DPAK StripFET (TM) II POWER MOSFET Все особенности ТИПИЧНЫЙ R DS (вкл.) = 0,020 Ом 100% ПРОТЕСТИРОВАНИЕ НА ЛАВИНУ ...
.. N-канал, 60 В, 22 мОм, 35 А, силовой МОП-транзистор STripFET II в корпусе DPAK Все особенности Соответствует AEC-Q101 Низкопороговый привод Заряд затвора сведен к минимуму
В синхронных понижающих импульсных источниках питания два MOSFET и выходной дроссель встречаются в коммутационном узле (Рисунок 1). Коммутационный узел часто подключается непосредственно к управляющей микросхеме. Напряжение в этом узле изменяется ...
In a synchronous, buck switching power supply, the two FETs and the output inductor meet at the phase node (Figure 1). The phase node often connects directly to the control IC. The voltage on this node swings from the input voltage to some voltage ...
.. открытых каналов. В дальнейшем новые приборы будут доступны также в корпусах TO-220 FullPAK, D 2 PAK, 7-выводном D 2 PAK и DPAK. Основные технические характеристики Продукт Корпус Напряжение стока [В] R DS(ON) (макс.) при 25 C [мОм] Q G ...
.. and 100 V. The new portfolio will be available in various packages continuing with TO-220 FullPAK, D2PAK, D 2 PAK 7-pin and DPAK. Key Performance Parameters Product Package V DS max [V] R DS(on) @10 V max [mΩ] Q G typ @10 V [nC] I D max @25 C ...
.. открытого канала 30 мОм при напряжении затвора 10 В. По сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусах DPAK и D2PAK, новый MOSFET для автомобильной промышленности обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии ...
.. but it features best in class on-resistance down to 30 mΩ at 10 V. Compared to the closest competing devices in the DPAK and D2PAK packages, the Automotive Grade MOSFET delivers 26% and 46% lower on-resistance, respectively, while ...
Компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения ...
