Публикации: DSS 160-01A - 4

31. RCA
    Сайты rca.com
    Американский брэнд фирмы Thomson. ТВ, DVD плееры, медиаплееры, видеокамеры, кабельные модемы и пр.
    Читать еще
    21 января 2003

32. IRFZ46N — Datasheet International Rectifier
    Datasheets
    .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, R DS ( вкл ) = 16,5 мОм, I D = 30 А, TO-220AB
    27 мая 2020

33. IRLZ34N — Datasheet International Rectifier
    Datasheets
    .. мощный МОП-транзистор, V DSS = 55 В, RDS ( вкл ) = 0,035 Ом, I D = 30 А, TO-220AB
    27 мая 2020
34. International Rectifier анонсирует новые силовые MOSFET для инжекторов бензиновых и дизельных двигателей
    Новости Дискретные компоненты Авто Силовая электроника International Rectifier AUIRFR4292 AUIRFS6535
    .. окружающей среды, не содержат свинца и отвечают предписаниям директивы RoHS. Технические характеристики Прибор Корпус V (BR)DSS (В) R DS(ON) макс. при V GS = 10 В (мОм) I D макс при T C = 25 C (А) Q G тип. при V GS = 10 В (нК) AUIRFR4292 D-PAK ...

    IR Introduces Automotive Power MOSFETs Optimized for Piezo Injection Systems for Gasoline and Diesel Engines

    .. an environmentally friendly, lead-free and RoHS compliant bill of materials. Specifications Part Number Package V (BR)DSS (V) R DS(ON) MAX. @ 10V GS (mOhm) I D MAX @ T C = 25 C (A) Q G TYP. @ 10V GS (nC) AUIRFR4292 D-PAK 250 345 9.3 13 ...

    10 августа 2012
35. Электронный журнал "Радиоежегодник" - Выпуск 17. Измерения. Обзор за 2012 г.
    Книги Измерения Радиоежегодник
    

    .. основных терминов Точность, разрешающая способность и порог чувствительности Радио Портативный цифровой осциллограф DSS-31 (ATmega32A, AD7822BR) Звуковой пробник для проверки транзисторов Изготовление измерительных щупов Цифровой ...
    12 октября 2012
36. Простое устройство для измерения параметров полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
    John Fattaruso
    Схемы Измерения
    .. из этой аппроксимации, начальный ток стока при нулевом напряжении затвор-исток можно выразить следующим соотношением: I DSS = βV P 2 , где I DSS начальный ток стока. Рисунок 1. Зависимость I D от V GS для n-канальных полевых ...

    Simple circuit lets you characterize JFETs

    John Fattaruso

    .. the pinch-off voltage V P and zero-bias drain current I DSS to select matched pairs of JFETs When working with discrete JFETs, designers may need to accommodate a large ...

    10 марта 2013
37. IXFK73N30 — Datasheet IXYS -
    Datasheets IXYS IXFK73N30
    

    .. Краткое содержание документа: HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr V DSS IXFK 73 N 30 IXFN 73 N 30 ID25 RDS(on) 45 m 45 m Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain ...
    18 декабря 2007
38. International Rectifier представила первые образцы MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в новых корпусах Large Can
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника International Rectifier IRF7739L1TRPBF IRF7749L1TRPBF IRF7748L1TRPBF IRF7759L2TRPBF IRF7769L1TRPBF IRF7779L2TRPBF
    .. температур и соответствуют первому уровню устойчивости к повышенной влажности (MSL1). Технические характеристики Прибор V DSS (В) R DS(ON) макс. @ 10 В I D (А) Q G (н К) IRF7739L1TRPBF 40 1.0 мОм 270 220 IRF7749L1TRPBF 60 1.5 мОм 200 200 ...

    IR Introduces Family of Large Can DirectFET® MOSFETs Featuring Ultra-low Rds(on) for Industrial Applications

    .. V Large Can devices are qualified to industrial grade and moisture sensitivity level 1 (MSL1). Specifications Part Number V DSS R DSON Max @ 10 V I D (A) Q G (nc ) IRF7739L1TRPBF 40 1.0 mΩ 270 220 IRF7749L1TRPBF 60 1.5 mΩ 200 200 ...

    19 июня 2014
39. Diodes представляет 100-вольтовые MOSFET, оптимизированные для приложений PoE
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Diodes DMN10H120SFG
    Компания Diodes представила MOSFET DMN10H120SFG , разработанный для использования в качестве переключающего элемента в 48-вольтовых системах PoE (питание по кабелю Ethernet), соответствующих стандарту IEEE 802.3. Этот переключатель позволяет по ...

    Diodes Incorporated Introduces 100V MOSFETs Optimized for PoE Applications

    .. at these voltage levels and this helps maximize power delivery to the end-equipment and improve efficiency. With a 100 V BV DSS rating the DMN10H120SFG MOSFET provides plenty of headroom for 48 V PoE operation. The DMN10H120SFG also offers an ...

    28 сентября 2015
40. PCI-плата «TT budget S-1401» — цифровой спутниковый ТВ ресивер
    Статьи Беспроводные Телевидение TT budget S-1401
    .. в мультипрограммных применениях. ИМС BPSK/QPSK-демодулятора TDA10086HT ИМС TDA10086HT является последним канальным DVB-S/DSS QPSK-демодулятором фирмы PHILIPS и была разработана ею в 2002 году. Прототипом данной ИМС стала TDA10085HT. При ...
    22 августа 2016

Сортировать по: релевантность / дата