Компания Diodes представила MOSFET DMN10H120SFG, разработанный для использования в качестве переключающего элемента в 48-вольтовых системах PoE (питание по кабелю Ethernet), соответствующих стандарту IEEE 802.3. Этот переключатель позволяет по кабелю Ethernet передавать энергию к конечному оборудованию, такому как беспроводные точки доступа, телефоны VoIP, кассовые терминалы, системы связи, IP-камеры систем безопасности и устройства управления зданиями.
В питающем оборудовании, например, в маршрутизаторах LAN и PoE-инжекторах, этот n-канальный 100-вольтовый MOSFET коммутирует питание в сетевом кабеле CAT5 (CAT6). В этом случае кабель обеспечивает как передачу данных, так и питание, сокращая общую стоимость системы благодаря возможности исключения источника питания в конечном оборудовании. Кроме того, транзистор обеспечивает защиту конечных пользователей, поскольку PoE работает в диапазоне от 44 В до 57 В, что соответствует категории безопасного сверхнизкого напряжения (SELV) 60 В, благодаря чему исчезает необходимость в тщательной изоляции и сертификации конечного оборудования, а также упрощается его техническое обслуживание. При работе на таких уровнях напряжения потери активной энергии минимальны, что помогает максимально увеличить мощность, доходящую до конечного оборудования, и повысить его эффективность.
При пробивном напряжении 100 В транзистор DMN10H120SFG обеспечивает достаточный запас для работы PoE с напряжением 48 В. DMN10H120SFG имеет расширенную область безопасной работы, позволяющую выдерживать мощность, рассеиваемую в условиях короткого замыкания, например, при обрыве кабеля Ethernet, до того момента, пока контроллер PSE не обнаружит неисправность и не отключит подачу питания. При подобной неисправности MOSFET переходит в линейный режим и должен отводить мощность 30 Вт в течение, как минимум, 20 мс, на что и способен новый транзистор, даже при повышенной рабочей температуре +60 °C.
DMN10H120SFG поставляется в компактном корпусе PowerDI3333. В составе обширного семейства 100-вольтовых транзисторов DMN10H Diodes также предлагает приборы в корпусах SOT23, SOT223 и TO252 (DPAK). Устойчивые к лавинному пробою DMN10H099SK3, например, в корпусе TO252, проходят 100% тестирование на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки (UIS), чтобы гарантировать, что транзистор сможет выдержать импульс энергии при переключении таких нагрузок, как катушки, двигатели и реле.
Купить DMN10H120SFG на РадиоЛоцман.Цены
