Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Публикации: Core year Base - 6

Поиск по: "Core year Base"
Найдено: 31,530 Вывод: 51-60   В том числе: Core (27638); Base (3815); year (802).
  1. Datasheet INA170EA/250G4 - Texas Instruments Даташит Ток SHUNT MONITOR, VSSOP8, 170
    .. 75 мкА Тип корпуса: MSOP Количество выводов: 8 Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +85°C Влагостойкость: MSL 2 - 1 year SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Семейство: 170 Ток смещения: 10 мкА Входное напряжение максимальное: 60 В Количество ...
    23 февраля 2011
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов
  1. Datasheet INA198AIDBVTG4 - Texas Instruments Даташит Ток MONITOR, SMD, SOT-5, 198
    .. 700 мкА Тип корпуса: SOT-23 Количество выводов: 5 Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +125°C Влагостойкость: MSL 2 - 1 year SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Точность: 0.75% Семейство: 198 Ток смещения: 16 мкА Поляризация: Bipolar Собственный ...
    23 февраля 2011
  1. Datasheet INA126EA - Texas Instruments Даташит Усилитель инструментальный, MSOP8, 126
    .. Усилитель инструментальный, MSOP8, 126 Скачать Data Sheet Спецификации: IC Generic Number: 126 Влагостойкость: MSL 2 - 1 year Диапазон напряжения питания: ± 1.35 В .. ± 18 В Добротность: 200 кГц Количество выводов: 8 Количество ...
    25 февраля 2011
  2. Datasheet MC33501SNT1G - ON Semiconductor Даташит Операционный усилитель, одиночный R/R, SMD, SOT23-5
    .. http://onsemi.com MARKING DIAGRAM 5 5 1 SOT23-5 SN SUFFIX CASE 483 1 = AAA; MC33501 AAB; MC33503 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week G = Pb-Free Package (Note: Microdot may be in either location) xxx xxx AYWG G · Low Voltage, ...
    6 марта 2011
  3. Datasheet BC373G - ON Semiconductor Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-92
    .. 80 12 1.0 625 5.0 1.5 12 -55 to +150 Vdc Adc mW mW/°C W mW/°C °C BC37x = Device Code x = 2 or 3 A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week G = Pb-Free Package (Note: Microdot may be in either location) 12 3 TO-92 CASE 29 STYLE 1 BC 37x ...
    .. содержание документа: BC372, BC373 High Voltage Darlington Transistors NPN Silicon Features http://onsemi.com COLLECTOR 3 BASE 2 Symbol VCEO BC372 BC373 Collector -Base Voltage BC372 BC373 Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous ...
    21 марта 2011
  4. Datasheet IRS2053MPBF - International Rectifier Даташит Усилитель, аудио, DIG, 3CH, 48MLPQ
    .. .. 15 В Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +125°C Тип корпуса: MLPQ Количество выводов: 48 Влагостойкость: MSL 2 - 1 year SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Семейство: 2053 RoHS: есть
    24 марта 2011
  5. Datasheet BQ24726RGRT - Texas Instruments Даташит BATT зарядное устройство, LI+, 1-4CELL, 20VQFN
    .. QFN Количество выводов: 20 Number of Series Cells: 4 Рабочий диапазон температрур: 0°C .. +125°C Влагостойкость: MSL 2 - 1 year SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Семейство: 24726 RoHS: есть
    14 апреля 2011
  6. Новости Измерения Agilent EXG N5171B EXG N5172B MXG N5181B MXG N5182B
    Agilent Technologies анонсировала четыре новых генератора сигналов серии X с непревзойденными характеристиками в части уровня фазовых шумов, выходной мощности, ослабления мощности по соседнему каналу (ACPR), величины векторной погрешности (EVM) и ...
    .. MXG signal generators, which are among the most reliable signal sources ever offered by Agilent. The recommended three-year calibration cycle and self-maintenance strategy will help reduce support costs and increase instrument uptime. ...
    .. and highly complex signals such as real-time simulation of GPS or GLONASS constellations and performance testing of LTE base stations. In manufacturing test, the cost-effective EXG is optimized for extended uptime and fast throughput ( ...
    15 мая 2012
  7. Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в отрасли модулей памяти DDR4 емкостью 16 Гбайт четвертого поколения синхронной динамической регистровой памяти с удвоенной скоростью передачи данных, предназначенной, в первую очередь, для ...
    .. technology boasts the highest performance among memory products available for today's computing systems, which by next year will reach twice the current 1,600 megabits per second (Mbps) of DDR3 based modules. Also, by processing data far ...
    .. it will work closely with its customers including server OEMs, as well as CPU and controller makers, to expand the market base for high-density DDR4 modules, of which it plans to begin volume production next year. It also is set to expand ...
    2 августа 2012
  8. Журнал РАДИОЛОЦМАН, август 2012 David Ferris, Forbes Многие из тех, у кого в самый неподходящий момент оказывался разряженным аккумулятор сотового телефона, мечтали о том времени, когда кабель питания пуповина так называемых беспроводных телефонов, ...
    .. market think it’s going to be huge. Wireless charging kit for Samsung Galaxy S3. IMS Research estimated last year that it will be a $4.5 billion market by 2016. Pike Research projected a few weeks ago that wireless power ...
    .. would need to be replaced rarely, if ever, said Witricity’s Giler. Other devices that wander but have a home base, like cameras and flashlights, could be redesigned to have a permanent rechargeable battery, like a cellphone but ...
    8 августа 2013

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "Core year Base" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка