Samsung Electronics объявила о начале поставок первых в отрасли модулей памяти DDR4 емкостью 16 Гбайт – четвертого поколения синхронной динамической регистровой памяти с удвоенной скоростью передачи данных, предназначенной, в первую очередь, для корпоративных серверных систем.
Образцы новых модулей памяти емкостью 8 ГБ и 16 ГБ, изготовленных на основе 30-нм технологии, Samsung начала поставлять основным производителям процессоров и контроллеров в июне. Модули позволят поднять на новый уровень производительность и плотность компоновки корпоративных серверов премиум класса. Первые приборы DDR4 емкостью 2 ГБ с технологическими норами 30 нм Samsung выпустила в декабре 2010 года.
Благодаря новейшим схемным решениям, заложенным в архитектуру DDR4, модули имеют самую высокую производительность среди всех запоминающих устройств, представленных на современном компьютерном рынке, и через год вдвое превысят пропускную способность 1,600 Мбит/с сегодняшних модулей DDR3. Кроме того, модули DDR4 намного экономичнее предшественников. За счет снижения напряжения питания до 1.2 В, рассеиваемую мощность удалось сократить примерно на 40% по сравнению с DDR3, работающими при напряжении 1.35 В.
В настоящее время Samsung завершает работу с JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) по стандартизации технологий и технических характеристик DDR4.
По сообщению компании, она планирует начать совместную работу с потребителями своей продукции, включая OEM производителей серверного оборудования, а также изготовителей процессоров и контроллеров, в целях расширения рыночной ниши модулей DDR4, массовое производство которых предполагается начать в 2013 году. Кроме того, Samsung намерена продолжать экспансию на рынок памяти, создав в ближайшие годы на основе технологии 20 нм модуль динамической памяти (DRAM) емкостью 32 ГБ.
Samsung заняла лидирующие позиции в продвижении технологий DRAM еще в 1997 году, разработав первый в отрасли модуль DDR. В 2001 г. компания представила модуль DDR2, а в 2005 – DDR3, изготовленный по технологии 80 нм.
