Клеммные колодки Keen Side

Публикации: 1N5406 R0 - 7

Поиск по: "1N5406 R0"
Найдено: 187 Вывод: 61-70   В том числе: R0 (173); 1N5406 (16).
  1. Наименование модели: PSMN2R0-30PL,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В Количество ...
    4 апреля 2011
  2. 864 предложений от 38 поставщиков
    Выпрямительные диоды.Тип монтажа: СквознойСхема включения диодов: ОдиночныйМаксимальное обратное напряжение (Vrrm), В: 600Максимальный прямой ток, А: 3Прямое падение …
    ЗУМ-СМД
    Россия
    1N5406
    Luguang Electronic Technology
    0.27 ₽
    МосЧип
    Россия
    583-1N5406
    Littelfuse
    по запросу
  1. Силовые SMD-индукторы
    25 июня 2024
  1. .. - очень неплохой сварочник. Я тоже столкнулся с похожей неисправностью. Для себя решил чем можно заменить диод ООО ТОР-2 R0. Уже установил. Хорошо ничего переделывать не надо, тот-же корпус. Можно посмотреть сдесь: ...
    1 апреля 2008
  2. Datasheets NXP BUK766R0-60E
    Datasheet BUK766R0-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK766R0-60E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK766R0-60E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS standard level FET Product data sheet 1. ...
    3 января 2013
  3. Datasheets NXP PSMN3R0-60PS,127
    Наименование модели: PSMN3R0-60PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 60 В Количество ...
    4 апреля 2011
  4. .. которые сокращают время выполнения инструкций. Регистровые операции выполняются за один машинный цикл. Четыре регистра (R0-R3) используются в качестве программного счетчика, указателя стека, регистра статуса и генератора констант, ...
    The MSP430FR57xx is the industry's first ultra-low power microcontroller with embedded FRAM from Texas Instruments . Realize never-before-seen power consumption, performance, and flexibility with this next-generation embedded memory technology. ...
    12 мая 2011
  5. Инвертор Gysmi-167 не держит дугу. В режиме MMA на холостом ходу импульсы 110в , в TIG-е вых. Напряжение=24в На выходе инвертора ток раза в 1.5- 2 меньше установленного - реж. MMA. uc3845 на ХХ при переходе задания тока в пределах 60-70А меняется ...
    30 мая 2011
  6. Идеальные для мобильных устройств проволочные силовые индуктивности BRHL2518 (2.5 × 1.8 мм, с максимальной высотой 1.5 мм) помогут создавать более компактные DC-DC преобразователи и повышать их КПД По сравнению с серией CBC3225T2R2M (3.2 ...
    Ideal for use in mobile devices, the BRHL2518 (2.5 x 1.8mm, with a maximum height of 1.5mm) wire-wound chip power inductors help to realize a more compact DC-DC converter, and to enhance power conversion efficiency Compared to Taiyo Yuden’s ...
    20 июня 2011
  7. Datasheets NXP BUK762R0-40E
    Datasheet BUK762R0-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: BUK762R0-40E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK762R0-40E 13 July 2012 N-channel TrenchMOS standard level FET Product data sheet 1. ...
    3 января 2013
  8. Datasheets NXP PSMN5R0-80PS,127
    Наименование модели: PSMN5R0-80PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 80 В Количество ...
    4 апреля 2011

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "1N5406 R0" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка