Публикации: GD - 9

81. SK100GD126T — Datasheet Semikron -
    Datasheets
    

    Наименование модели: SK100GD126T Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, TRENCH, 1200 В, 6 PACK Спецификации: Module Configuration: Six DC Collector Current: 114 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: ...
    13 февраля 2011

82. Простая схема управляет скоростью изменения напряжения на нагрузке
    Схемы Питание ON Semiconductor MMBT2222A, MMBT2907A
    .. кривой полевого транзистора. Между выводами затвора и стока MOSFET существует внутренняя емкость Миллера C GD . Источник постоянного тока схемы управляет током заряда емкости Миллера. Когда транзистор Q 3 инжектирует ток в ...

    Simple circuit controls the rate of voltage change across a capacitor or another load

    .. plateau, a constant-current region of the FET’s characteristic curve. The FET has an internal Miller capacitance, C GD , between the gate and the drain pins. The circuit’s constant-current source controls the charge current of ...

    29 августа 2019

83. Vishay предлагает новый интегральный полумостовой силовой MOSFET каскад с лучшим в отрасли фактором качества
    Новости Дискретные компоненты Vishay SiZ240DT
    .. и, таким образом, уменьшить размеры как магнитных элементов, так и всей конструкции. Оптимизированное отношение Q GD /Q GS снижает уровень шумов, дополнительно улучшая коммутационные характеристики устройства. Транзисторы SiZ240DT ...

    Vishay Intertechnology Integrated 40 V MOSFET Half-Bridge Power Stage Offers Best in Class R_DS(ON) and FOM to Increase Power Density and Efficiency

    .. inductance to enable high frequency switching and thus reduce the size of magnetics and final designs. Its optimized Q GD /Q GS ratio reduces noise to further enhance the device’s switching characteristics. The SiZ240DT is 100% Rg- ...

    19 октября 2020
84. SK200GD066T — Datasheet Semikron -
    Datasheets Semikron SK200GD066T
    

    Наименование модели: SK200GD066T Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, TRENCH, 600 В, 6 PACK Спецификации: DC Collector Current: 174 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1 В Корпус транзистора: ...
    13 февраля 2011
85. GD32E507RCT6 — Datasheet GigaDevice
    Datasheets GigaDevice GD32E507RCT6
    Микроконтроллер GD32 ARM Cortex-M33
    23 июня 2021
86. GD32E507RET6 — Datasheet GigaDevice
    Datasheets GigaDevice GD32E507RET6
    Микроконтроллер GD32 ARM Cortex-M33
    23 июня 2021
87. GD32E507VCT6 — Datasheet GigaDevice
    Datasheets GigaDevice GD32E507VCT6
    Микроконтроллер GD32 ARM Cortex-M33
    23 июня 2021
88. SK35GD126ET — Datasheet Semikron -
    Datasheets Semikron SK35GD126ET
    

    Наименование модели: SK35GD126ET Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK Спецификации: Module Configuration: Six Полярность транзистора: N Channel DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В Collector ...
    13 февраля 2011
89. SKIM429GD17E4HD — Datasheet Semikron -
    Datasheets Semikron SKIM429GD17E4HD
    

    Наименование модели: SKIM429GD17E4HD Производитель: Semikron Описание: IGBT Module Спецификации: DC Collector Current: 595 А Collector Emitter Voltage, Vces: 1700 В Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 1.1 В Количество выводов: 32 Тип корпуса: SKiM ...
    14 февраля 2011
90. GD32E507VET6 — Datasheet GigaDevice
    Datasheets GigaDevice GD32E507VET6
    Микроконтроллер GD32 ARM Cortex-M33
    23 июня 2021

Сортировать по: релевантность / дата