Публикации: DPAK - 10

91. NTD3055L170-1G — Datasheet ON Semiconductor
    Datasheets
    .. МОП-транзистор 60 В, 9 А, 170 мОм, одиночный N-канальный логический уровень DPAK/IPAK
    28 февраля 2017

92. IRLR3103TRRPBF — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016

93. IRLR3103TR — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
94. IRLR3103TRL — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
95. IRLR3103TRR — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
96. IRLR3103 — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
97. IRLR3103TRPBF — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
98. IRLR3103PBF — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
99. IRLR3103TRLPBF — Datasheet Infineon
    Datasheets
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
    2 августа 2016
100. New Vishay Intertechnology 600 V and 650 V E Series MOSFETs in PowerPAK SO-8L Increase Reliability and Reduce Package Inductance
     Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay SiHJ8N60E SiHJ6N65E SiHJ7N65E
     .. n-channel devices in the compact PowerPAK® SO-8L package. Providing space-saving alternatives to MOSFETs in the TO-252 (DPAK) package, the Vishay Siliconix 600 V SiHJ8N60E and 650 V SiHJ6N65E and SiHJ7N65E increase reliability and provide ...
     11 июля 2016

Сортировать по: релевантность / дата