Высокоскоростной оптрон, 5 Мбод, 1 кВ/мкс dV/dt Функции Скорость передачи данных 5 Мбит/с (2,5 Мбит/с при повышении температуры) Буфер Испытательное напряжение изоляции, 5300 Вср.кв. в течение 1 мин.
Christian Rausch EDN Микросхемы балластов, такие как IR53HD420 компании International Rectifier, используются конструкторами в КЛЛ (компактных люминесцентных лампах) для нагрева нитей накала, поджига ламп и поддержания в них рабочего тока. ...
Christian Rausch EDN Designers use ballast ICs, such as International Rectifier’s IR53HD420 , in CFLs (compact fluorescent lamps) for heating the filaments, igniting the lamps, and supplying the lamps with current. Manufacturers produce these ...
Высокоскоростной оптрон, 5 Мбод, 1 кВ/мкс dV/dt Функции Скорость передачи данных 5 Мбит/с (2,5 Мбит/с при повышении температуры) Буфер Испытательное напряжение изоляции, 5300 Вср.кв. в течение 1 мин.
Высокоскоростной оптрон, 5 Мбод, 1 кВ/мкс dV/dt Функции Скорость передачи данных 5 Мбит/с (2,5 Мбит/с при повышении температуры) Буфер Испытательное напряжение изоляции, 5300 Вср.кв. в течение 1 мин.
Высокоскоростной оптрон, 5 Мбод, 1 кВ/мкс dV/dt Функции Скорость передачи данных 5 Мбит/с (2,5 Мбит/с при повышении температуры) Буфер Испытательное напряжение изоляции, 5300 Вср.кв. в течение 1 мин.
Высокоскоростной оптрон, 5 Мбод, 1 кВ/мкс dV/dt Функции Скорость передачи данных 5 Мбит/с (2,5 Мбит/с при повышении температуры) Буфер Испытательное напряжение изоляции, 5300 Вср.кв. в течение 1 мин.
Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET) практически не имеют входных токов (что полезно само по себе), поэтому у них почти отсутствуют токовые шумы. Это свойство означает, что JFET можно использовать в схемах с очень высокими сопротивлениями и ...
Because they use practically no bias current (a useful feature in itself), JFETs also have practically no current noise. This feature means that you can use JFETs in very-high-resistance circuits and obtain good noise performance. JFETs are also ...
.. излучателем и фотодетектором. В обеих схемах детекторов в качестве передатчиков используются инфракрасные светодиоды OSRAM SFH 484 (D1, D3) с длиной волны 880 нм. Кронштейн, удерживающий ИК излучатели, ориентирован так, чтобы их узкие ...
.. between their IR emitter and detector is interrupted. Both detector circuits use an infrared emitting diode (D1, D3 = OSRAM SFH 484, λp 880 nm) as the transmitter. The bracket holding the IR emitters is aligned to ensure their narrow ...
Усилители с обратной связью по току обеспечивают широкую полосу пропускания при минимальном потреблении тока источника питания. Однако они редко используются в качестве трансимпедансных усилителей в фотодиодных приложениях из-за больших токовых ...
Current-feedback amplifiers offer high bandwidth with minimal power-supply current draw. However, they're rarely used as transimpedance amplifiers in photodiode applications due to the high current noise of their inverting inputs. The Figure 1 ...
