AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Публикации: Infineon

Поиск по: "Infineon"
Найдено: 2,892 Вывод: 1-10
  1. Alberto Abal Pena Carlos Castro-Miguens José Benito Castro-Miguens Marcos Pérez-Suárez
    .. по-видимому, происходит при напряжении 310 В. Материалы по теме Datasheet Diodes TL431 Datasheet Vishay BS170 Datasheet Infineon IGB03N120H2
    Alberto Abal Pena Carlos Castro-Miguens José Benito Castro-Miguens Marcos Pérez-Suárez
    .. leakage and appears to switch at 310 V. Materials on the topic Datasheet Diodes TL431 Datasheet Vishay BS170 Datasheet Infineon IGB03N120H2
    23 июня 2025
  2. 1003 предложений от 11 поставщиков
    Silicon Tuning Diode (Extented frequency range up to 2.5 GHz
    Десси
    Россия
    Диод BB535 INFINEON
    Infineon
    11 ₽
    MMBT2222ALT1-INFINEON
    Fairchild
    по запросу
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!
  1. Datasheet Infineon IGB03N120H2
    Технология HighSpeed 2 для 1200 В в корпусе PG-TO263-3-2 Устаревший и больше не производится
    23 июня 2025
  1. .. политехническом университете (PUB), Бухарест, Румыния, в 2010 и 2012 годах, соответственно. Он работал в компании Infineon Technologies с 2009 по 2012 год и в настоящее время работает над получением степени доктора философии в ...
    30 апреля 2025
  2. IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...
    23 апреля 2025
  3. IGB110S101 — это 100-вольтовый нормально закрытый транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x3, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является ...
    23 апреля 2025
  4. IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...
    23 апреля 2025
  5. IGC033S101 — это 100 В нормально выключенный транзистор e-mode, размещенный в небольшом корпусе PQFN 3x5, что позволяет создавать конструкции с высокой плотностью мощности. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии он является идеальным ...
    23 апреля 2025
  6. .. более сложной, чем когда-либо. Чтобы преодолеть эти трудности, компания SounDigital интегрировала транзисторы CoolGaN от Infineon Technologies в свой новый 1500-ваттный усилитель класса D с пятью каналами и частотой переключения 800 ...
    .. development more complex than ever. To overcome these challenges, SounDigital has integrated CoolGaN transistors from Infineon Technologies into its new 1500 W Class D amplifier, featuring an 800 kHz switching frequency and five ...
    23 апреля 2025
  7. Stephen Woodward
    .. Теперь I OUT = 1.1 D/R S . Материалы по теме Datasheet ON Semiconductor LM337 Datasheet Analog Devices LM4041 Datasheet Infineon BSS308PE Datasheet Microchip TP2104
    Stephen Woodward
    .. Done. I OUT = 1.1 D/R S . Materials on the topic Datasheet ON Semiconductor LM337 Datasheet Analog Devices LM4041 Datasheet Infineon BSS308PE Datasheet Microchip TP2104
    18 апреля 2025
  8. Datasheets Infineon BSS308PEH6327XTSA1
    .. улучшения P-канала Полевой транзистор (FET), -30 В, SOT-23 Infineon Technologies предлагает производителям автомобилей и промышленности широкий ассортимент N- и P-канальных ...
    11 апреля 2025

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "Infineon" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка