AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Публикации: MASTERGAN4

Поиск по: "MASTERGAN4"
Найдено: 4 Вывод: 1-4
  1. Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в ...
    15 апреля 2021
  2. 69 предложений от 13 поставщиков
    Gate Drivers High power density 600V half bridge driver, two enhancement mode GaN power HEMTComplete Your Design
    AllElco Electronics
    Весь мир
    MASTERGAN4TR
    STMicroelectronics
    202 ₽
    MASTERGAN4LTR
    STMicroelectronics
    от 782 ₽
  1. .. высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с ...
    .. STMicroelectronics MasterGaN4 power packages integrate two symmetrical 650 V gallium nitride (GaN) power transistors with 225 ...
    15 апреля 2021
  1. Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в ...
    15 апреля 2021
  2. Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в ...
    15 апреля 2021

Сортировать по: релевантность / дата

Поиск "MASTERGAN4" в других поисковых системах: DataSheet.ru
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка