Клеммные колодки Keen Side
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике

Публикации: NE3509M04

Поиск по: "NE3509M04"
Найдено: 2 Вывод: 1-2
  1. Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона
    Korkut Yegin
    Схемы Радио NEC NE3509M04
    .. S диапазона можно сделать на GaAs полевом транзисторе с гетеропереходом. Схема, в которой использован малошумящий GaAs HFET NE3509M04 компании NEC , разрабатывалась и моделировалась с помощью Microwave Office AWR. Усилитель с ...
    Design an ultra-low-noise S-band amplifier
    Korkut Yegin
    .. RF amplifier with a GaAs heterojunction FET. The design was created and simulated using Microwave Office AWR. NEC ’s NE3509M04 GaAs HJFET (heterojunction field-effect transistor) acts as the low-noise, high-gain transistor. The ...
    15 октября 2013
    2. 45 предложений от 19 поставщиков
    Труба MOS, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, LEAD FREE, THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
    ChipWorker
    Весь мир
    		NE3509M04-T2-A
    Renesas    		23 ₽
    Контест
    Россия
    		NE3509M04-T2
    		144 ₽
  1. Обсуждение: Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона
    Форум Радио
    .. Такое под силу только профессионалам. LeoBLP ТАП Сарказм здесь не уместен.. Забывать то, что шумы создаёт не только NE3509M04 не допустимо. Остальные элементы, включая проводники платы вносят свою не малую лепту. Вот в результате ...
    29 января 2015
    Поиск "NE3509M04" в других поисковых системах: DataSheet.ru
    ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
    ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
    Срезы
    Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring