МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с ...
.. кристалла для устройств с пробивным напряжением 650 В. Транзисторы NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 и NTH4L015N065SC1 имеют самое низкое сопротивление открытого канала (12 мОм) на рынке приборов в корпусах ...
.. of merit R SP (R DSON ×area) for 650 V breakdown voltage. The NVBG015N065SC1 , NTBG015N065SC1 , NVH4L015N065SC1 and NTH4L015N065SC1 have the lowest R DSON (12 mOhm) in the market in D2PAK7L and TO247 packages. This ...
22 февраля 2021
Поиск "NTH4L015N065SC1" в других поисковых системах: DataSheet.ru