.. является рассеивание мощности (PD = Ibatt × Vdiode) и падение напряжения (Vdiode = 350 мВ при токе 0.5 А для диода PMEG2010AEH ), когда аккумулятор подключен к нагрузке. Эти потери не имеют особого значения, если используются ...
.. to this approach is the power dissipation (PD = Ibatt × Vdiode) and voltage drop (Vdiode = 350 mV at 0.5 A for the PMEG2010AEH ) incurred when the battery services the load. Such losses may not be significant for high-voltage ...
.. модели: PMEG2010AET,215 Производитель: NXP Описание: Диод Шоттки Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMEG2010AEH; PMEG2010AET 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers Rev. 03 -- 28 March 2007 Product data ...