Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Многие конструкции источников питания основаны на точном измерении напряжения на токоизмерительном элементе. В многофазных регуляторах измеряемое напряжение используется для принудительного распределения токов между фазами, а в однофазных для ...
.. Kelvin terminals measures 9.462 mV for an error of 18.2%. Figure 2 shows an improved component footprint. Each large solder pad includes a central cutout area that partially surrounds a narrow pad that solders directly to the sense element and ...
Новое устройство обеспечивает двунаправленную передачу мощности в приложениях USB Toshiba Electronics Europe выпустила свой первый 30-вольтовый сдвоенный n-канальный MOSFET с объединенными стоками. Новый прибор SSM10N961L обеспечивает работу с ...
.. the source-source on-resistance (R SS(ON) ) is typically 9.9 mΩ. When mounted on a 18 µm, 407 mm 2 Cu pad, the current rating of the device is 9.0 A. If the pad size and thickness are increased to 70 µm and 687.5 mm ...
Пико-амперные диоды Одиночные, пикоусилительные диоды с малой утечкой серии JPAD представляют собой прямую замену эквивалентной части Siliconix-Vishay. Он идеально подходит для пико-усилителей, сверхнизких утечек и защитных диодов. Доступен в ...
Пико-амперные диоды Одиночные, пикоусилительные диоды с малой утечкой серии JPAD представляют собой прямую замену эквивалентной части Siliconix-Vishay. Он идеально подходит для пико-усилителей, сверхнизких утечек и защитных диодов. Доступен в ...
Пико-амперные диоды Одиночные, пикоусилительные диоды с малой утечкой серии JPAD представляют собой прямую замену эквивалентной части Siliconix-Vishay. Он идеально подходит для пико-усилителей, сверхнизких утечек и защитных диодов. Доступен в ...
Пико-амперные диоды Одиночные, пикоусилительные диоды с малой утечкой серии JPAD представляют собой прямую замену эквивалентной части Siliconix-Vishay. Он идеально подходит для пико-усилителей, сверхнизких утечек и защитных диодов. Доступен в ...
Пико-амперные диоды Одиночные, пикоусилительные диоды с малой утечкой серии JPAD представляют собой прямую замену эквивалентной части Siliconix-Vishay. Он идеально подходит для пико-усилителей, сверхнизких утечек и защитных диодов. Доступен в ...
