Клеммные колодки Keen Side
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике

Публикации: TK6R7P06PL

Поиск по: "TK6R7P06PL"
Найдено: 2 Вывод: 1-2
  1. TK6R7P06PL — Datasheet Toshiba
    Datasheets
    Силовой МОП-транзистор (одиночный N-канальный 30 В VDSS≤60 В)
    7 ноября 2017
    2. 35 предложений от 10 поставщиков
    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 74А; Idm: 190А; 66Вт; DPAK
    ChipWorker
    Весь мир
    		TK6R7P06PL,RQ
    Toshiba    		33 ₽
    Maybo
    Весь мир
    		TK6R7P06PL,RQ
    Toshiba    		117 ₽
  1. Toshiba представляет МОП-транзисторы на 40 и 60 В на основе технологического процесса последнего поколения
    Новости Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TK3R1P04PL TK4R4P06PL TK6R7P06PL
    .. канавки полупроводниковых устройств последнего поколения (U-MOS-IX-H). МОП-транзисторы TK3R1P04PL , TK4R4P06PL и TK6R7P06PL с каналом n-типа могут управляться сигналами логического уровня 4.5 В и обладают сверхнизким ...
    Toshiba Launches 40V and 60V MOSFETs Based on Latest Generation of Trench Process
    .. based on the company’s latest generation U-MOS-IX-H trench semiconductor process. The TK3R1P04PL , TK4R4P06PL and TK6R7P06PL N-channel MOSFETs can be driven by 4.5 V logic levels and offer ultra-low maximum on resistance (R ...
    23 октября 2017
    Поиск "TK6R7P06PL" в других поисковых системах: DataSheet.ru
    ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
    ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
    Срезы
    Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring