Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
РадиоЛоцман - Все об электронике

Wolfspeed выпускает 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением канала

Wolfspeed C3M0016120K

Wolfspeed (подразделение компании Cree) укрепила свои лидирующие позиции в технологии SiC транзисторов, выпустив 1200-вольтовый SiC MOSFET с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала. Разработчики могут сократить количество компонентов, перейдя от трехуровневой топологии, основанной на кремниевых приборах, к более простым двухуровневым топологиям, которые стали доступными благодаря улучшенным характеристикам переключения. Использование отдельного вывода Кельвина может дополнительно снизить потери переключения на 30% по сравнению с традиционным 3-выводным корпусом TO-247. Обладая наименьшим сопротивлением среди всех приборов, доступных на современном рынке, и низким зарядом затвора, C3M0016120K идеально подходит для трехфазных безмостовых топологий корректоров коэффициента мощности, а также для использования в инверторах и зарядных устройствах.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Wolfspeed - C3M0016120K

Особенности транзистора

  • Самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала: 16 мОм;
  • Допустимое напряжение сток-исток 1200 В во всем диапазоне рабочих температур (-40 °C … 175 °C);
  • Управляющее напряжение затвора 15 В;
  • Низкоимпедансный корпус с дополнительным выводом для подключения истока по методу Кельвина;
  • Пути утечки по корпусу и между выводами стока и истока, превышающие 8 мм;
  • Высокая скорость переключения при низкой выходной емкости;
  • Быстрый внутренний диод с низким зарядом восстановления;
  • Простота управления и параллельного объединения.

Wolfspeed - C3M0016120K

Целевые приложения

  • Солнечные инверторы и системы хранения энергии;
  • Зарядные устройства электрических транспортных средств;
  • Источники бесперебойного питания (ИБП);
  • Драйверы двигателей;
  • Импульсные источники питания.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode

16 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт
Utmel
Весь мир
C3M0016120K
от 2 569 ₽
AiPCBA
Весь мир
C3M0016120K
Cree
6 250 ₽
ЭИК
Россия
C3M0016120K
от 15 952 ₽
Acme Chip
Весь мир
C3M0016120K
Wolfspeed
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя