Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит
Производитель | IXYS |
Серия | IXTU02N50D |
Модель | IXTU02N50D |
МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Цены
Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 135 до 219 ₽ 21 предложений от 11 поставщиков 30 Ω Production (Last Updated: 2 years ago) 25 W -5 V 500 V | |||
IXTU02N50D IXYS | 135 ₽ | ||
IXTU02N50D IXYS | 144 ₽ | ||
IXTU02N50D IXYS | по запросу | ||
IXTU02N50D Littelfuse | по запросу |
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: TO-251
Другие варианты исполнения
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode