Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXTU02N50D |
| Модель | IXTU02N50D |
МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Цены
Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены5 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251
| ЭИК Россия | IXTU02N50D IXYS | 92,07 ₽ | |
| Зенер Россия и страны ТС | IXTU02N50D IXYS | по запросу | |
| T-electron Россия и страны СНГ | IXTU02N50D IXYS | по запросу | |
| Кремний Россия и страны СНГ | IXTU02N50D | по запросу |
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: TO-251
Другие варианты исполнения
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode
На английском языке: Datasheet IXYS IXTU02N50D
Публикации по теме
