ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTU02N50D
МодельIXTU02N50D
Datasheet IXYS IXTU02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа

Цены

21 предложений от 11 поставщиков
30 Ω Production (Last Updated: 2 years ago) 25 W -5 V 500 V
ЧипСити
Россия
IXTU02N50D
IXYS
135 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXTU02N50D
IXYS
144 ₽
TradeElectronics
Россия
IXTU02N50D
IXYS
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IXTU02N50D
Littelfuse
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: TO-251

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode

На английском языке: Datasheet IXYS IXTU02N50D

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Публикации по теме