Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит

Производитель	IXYS
Серия	IXTU02N50D
Модель	IXTU02N50D

Datasheets

Цены

Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251
ЭИК Россия	IXTU02N50D IXYS	89,06 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	IXTU02N50D IXYS	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IXTU02N50D IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXTU02N50D	по запросу	Купить

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: TO-251

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

• Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode