Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTU02N50D
МодельIXTU02N50D
Datasheet IXYS IXTU02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа

Цены

5 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251
ЭИК
Россия
IXTU02N50D
IXYS
89,06 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IXTU02N50D
IXYS
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
IXTU02N50D
IXYS
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTU02N50D
по запросу

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: TO-251

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode

На английском языке: Datasheet IXYS IXTU02N50D

Изготовление плат и монтаж компонентов для вашего проекта от $2. Получи купон на скидку: JLCNY

ADMV8420 - настраиваемый полосовой СВЧ фильтр от Analog Devices
Публикации по теме