Datasheet IXYS IXTP02N50D — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTP02N50D
МодельIXTP02N50D
Datasheet IXYS IXTP02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа

Цены

IXTP02N50D Купить ЦенаКупить IXTP02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 195 до 275
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
T-electron
Россия и страны СНГ
IXTP02N50D
IXYS
195 ₽
ЭИК
Россия
IXTP02N50D
IXYS
275 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IXTP02N50D
IXYS
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTP02N50D
по запросу

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: ТО-220

Другие варианты исполнения

IXTU02N50D IXTU02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet IXYS IXTP02N50D

Публикации по теме