Datasheet IXYS IXTH44P15T — Даташит
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXTH44P15T |
| Модель | IXTH44P15T |
Мощные МОП-транзисторы TrenchP
Datasheets
Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа
 Купить IXTH44P15T на РадиоЛоцман.Цены — от 327 до 1 096 ₽34 предложений от 16 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; TrenchPTM; полевой; -150В; -44А; 298Вт; 140нс | |||
| IXTH44P15T IXYS | от 360 ₽ | ||
| IXTH44P15T IXYS | 366 ₽ | ||
| IXTH44P15T IXYS | 627 ₽ | ||
| IXTH44P15T IXYS | от 1 087 ₽ | ||
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.
Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.
Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.
Другие варианты исполнения
IXTA44P15T IXTP44P15T IXTQ44P15T
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate
