Наименование модели: BUZ906DP Производитель: Semelab Описание: Полевой транзистор, P, TO-264 Скачать Data Sheet Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 16 А Drain Source Voltage Vds: 200 В On State Resistance: ...
Наименование модели: 2STC5200 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, NPN TO-264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2STC5200 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO > ...
Наименование модели: 2STA2121 Производитель: STMicroelectronics Описание: TRANS PNP 250 В 17 А BIT-LA TO-264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2STA2121 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features I I I I High ...
Наименование модели: 2STA1943 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, PNP TO-264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2STA1943 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO > ...
Наименование модели: MJL21193G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, PNP, TO-264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJL21193, MJL21194 Silicon Power Transistors The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter ...
Наименование модели: MJL21194G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, NPN, TO-264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJL21193, MJL21194 Silicon Power Transistors The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter ...
Наименование модели: FGL40N120ANDTU Производитель: Fairchild Описание: IGBT, 1200 В Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FGL40N120AND 1200V NPT IGBT February 2008 FGL40N120AND 1200V NPT IGBT Features Спецификации: Тип транзистора: NPT ...
Наименование модели: SGL50N60RUFDTU Производитель: Fairchild Описание: Одиночный IGBT, 600 В, 80 А Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Collector Emitter Voltage Vces: 600 В DC Collector Current: 80 А Рабочий диапазон ...