.. .. +175°C Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 6.5 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 18 мВт Pulse Current Idm: 14 А Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В Voltage ...
.. Vgs Typ: 4 В Рассеиваемая мощность: 3 Вт Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 Current Id Max: 19 А Тип корпуса: DPAK Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 200 В Voltage Vgs Max: 4 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В RoHS: Y-Ex
.. .. +150°C Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Id Max: 55 А Тип корпуса: DPAK Pulse Current Idm: 100 А Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 30 В Voltage Vgs Max: 20 В Voltage Vgs Rds on ...
.. Vgs Typ: 3 В Рассеиваемая мощность: 3 Вт Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 Current Id Max: 40 А Тип корпуса: DPAK Способ монтажа: SMD Voltage Vds Typ: 100 В Voltage Vgs Max: 3 В Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В RoHS: Y-Ex
.. модели: MJD2955T4 Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор PNP 60 В 10 А DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® MJD2955 MJD3055 COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS s s ...
.. Max: 1.5 В Корпус транзистора: TO-252 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Current Id Max: 12 А Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 48 Вт Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В Voltage Vds Typ: 60 В Voltage ...
Наименование модели: IRFR825PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N-CH, 500 В, 3.5 А, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96433 IRFR825TRPbF HEXFET® Power MOSFET Applications · Zero Voltage ...
