Методы измерения h-параметров транзистора

что вы написали, я к сожалению не понял. если вы написали о том, что надо сделать вам лично, тто я не могу прокоментировать. я не знаю какй именно транзистор вы изучаете или исследуете. ни проводимости, ни мощности, ни материала вы не указали. если вы говорите о теории полупроводников вообще, то никакого противоречия нет. просто вы упустили самую малость в описании работы, а именно исследуя работу и зависимость параметров, везде говорят о приращениях (дельта) параметров. изменение тока базы на о.1 влечет изменение тока колектора на 1, а изменение тока базы на 0.2 влечет изменение тока колектора на 2 на прямолинейном (относительно) участке ВАХ транзистора (цифры абстрактные для примера, не имеют ничего общего с реальностью) ну а по поводу абстрактности - какой вапрос, такой ответ. хотите получеть более предметный ответ - задайте более предметный вопрос. например: изучаю транзистор П4. надо снять ВАХ. какую установку применить, на что обратить внимание...
я верю в то, что кто то, где то умеет читать мысли на расстоянии, но этих людей здесь именно нет. они скорее находятся на теме медицина и биология...