Fairchild Semiconductor расширяет линейку PowerTrench MOSFET

Новые полупроводниковые приборы выполнены в тонких корпусах, отличаются низкими токами утечки затвора

Fairchild Semiconductor расширяет свою линейку P-канальных PowerTrench  MOSFET, которые позволят усовершенствовать разрабатываемые для сотовых телефонов и других портативных устройств схемы зарядки аккумуляторов и включения нагрузки.

Полевые MOSFET FDMA910PZ и FDME910PZT выполнены в корпусах MicroFET и обладают, для их физических размеров (2 × 2 мм и 1.6 × 1.6 мм), отличными тепловыми характеристиками, поэтому хорошо подходят для использования в схемах коммутации и в линейном режиме. FDMA910PZ и FDME910PZT обладают низким сопротивлением канала в открытом состоянии, поставляются на рабочее напряжение 20 В. Для защиты от повреждения статическим электричеством (ESD) FDMA910PZ и FDME910PZT оснащены оптимизированной защитой на основе стабилитрона, что снижает также максимальную утечку I_GSS с 10 мкА до 1 мкА.

Основные характеристики:

FDMA910PZ

• Макс. R_DS(ON) = 20 мОм при V_GS = –4.5 В, I_D = –9.4 A
• Макс. R_DS(ON) = 24 мОм при V_GS = –2.5 В, I_D = –8.6 А
• Макс. R_DS(ON) = 34 мОм при V_GS = –1.8 В, I_D = –7.2 А
• Низкий профиль: максимум 0.8 мм, в корпусе MicroFET 2 × 2 мм, с защитой от пробоя статическим электричеством, ESD > 2.8 кВ

FDME910PZT

• Макс. R_DS(ON) = 24 мОм при V_GS = –4.5 В, I_D = –8 A
• Макс. R_DS(ON) = 31 мОм при V_GS = –2.5 В, I_D = –7 А
• Макс. R_DS(ON) = 45 мОм при V_GS = –1.8 В, I_D = –6 А
• Низкий профиль: максимум 0.55 мм, в тонком корпусе MicroFET 1.6 × 1.6 мм, с защитой от пробоя статическим электричеством, ESD > 2 кВ

FDMA910PZ и FDME910PZT соответствуют требованиям RoHS (ограничения на содержание вредных веществ), не используются галогенсодержащие соединения и оксиды сурьмы. Оба прибора обеспечивают безопасную эксплуатацию при низком напряжении и предназначены для использования в мобильных телефонах и портативных устройствах. 

Цены, в долларах США за 1,000 штук:

• FDMA910PZ: $0.36
• FDME910PZT: $0.33