На выставке Nano Tech 2013 компания Toshiba продемонстрировала 300-мм пластину с чипами NAND флеш-памяти, при производстве которой использовался технологический процесс с проектными нормами 19 нм. Это самая совершенная на сегодня технология массового производства, наряду с технологией многоуровневых трехбитных ячеек (MLC), также используемой в новых микросхемах памяти.
 |
| Toshiba продемонстрировала используемую при производстве микросхем памяти 300 мм кремниевую пластину |
В рамках 19-нм техпроцесса Toshiba использовала структуру, в которой плавающие затворы разделены воздушным зазором для уменьшения взаимного влияния между ячейками памяти. В результате компания гарантирует стабильность рабочих характеристик, эквивалентную той, что дает уже апробированная 24-нм технология. Компания и в дальнейшем в течение нескольких технологических поколений планирует делать NAND флеш-память с плавающим затвором, используя фирменную технологию воздушного зазора.
Вследствие того, что в представленных микросхемах NAND флеш емкостью 128 ГБ используется структура MLC с тремя битами на ячейку, они могут быть перезаписаны лишь несколько сотен раз, что на порядок меньше в сравнении с микросхемами на основе MLC с двумя битами на ячейку. Таким образом, эти микросхемы могут использоваться только в USB накопителях, картах памяти, или подобных им устройствах.
Toshiba концентрирует усилия не только на передовых технологических процессах и структурах MLC, но также сокращает толщину пакета, применяя в NAND микросхемах многослойную укладку. Например, компания реализовала 128-гигабайтную память в виде тонкой этажерки, уложив друг на друга 16 слоев толщиной по 30 мкм емкостью 64 гигабита каждый, и соединив их проводниками.
