Microsemi Corporation представила новое семейство 1200-вольтовых карбидкремниевых (SiC) MOSFET. Новейшие SiC MOSFET созданы для промышленных приложений большой мощности с повышенными требованиями к эффективности, таких как инверторы солнечных батарей, электрические транспортные средства, сварочные инверторы и медицинские приборы.
Новые SiC MOSFET
Новые SiC MOSFET созданы с использованием патентованной технологии Microsemi, чтобы помочь разработчикам проектировать решения с большей частотой преобразования и более высокой эффективностью.
Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:
- Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры
- Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения
- Повышенная максимальная частота переключения
- Высочайшая надежность и превосходная устойчивость к коротким замыканиям
1200-вольтовые SiC MOSFET компании Microsemi имеют номинальные сопротивления открытого канала 80 и 50 миллиом, и поставляются в двух стандартных корпусах, что предоставляет клиентам бóльшую гибкость разработки:
- APT40SM120B: 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус TO-247
- APT40SM120J: 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус SOT-227
- APT50SM120B: 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус TO-247
- APT50SM120J: 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус SOT-227
