Инновационное семейство высоковольтных SiC MOSFET укрепляет лидерство Microsemi в карбидкремниевых решениях

Microsemi Corporation представила новое семейство 1200-вольтовых карбидкремниевых (SiC) MOSFET. Новейшие SiC MOSFET созданы для промышленных приложений большой мощности с повышенными требованиями к эффективности, таких как инверторы солнечных батарей, электрические транспортные средства, сварочные инверторы и медицинские приборы.

Новые SiC MOSFET

Новые SiC MOSFET созданы с использованием патентованной технологии Microsemi, чтобы помочь разработчикам проектировать решения с большей частотой преобразования и более высокой эффективностью.

Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:

• Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала R_DS(ON) от температуры
• Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения
• Повышенная максимальная частота переключения
• Высочайшая надежность и превосходная устойчивость к коротким замыканиям

1200-вольтовые SiC MOSFET компании Microsemi имеют номинальные сопротивления открытого канала 80 и 50 миллиом, и поставляются в двух стандартных корпусах, что предоставляет клиентам бóльшую гибкость разработки:

• APT40SM120B: 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус TO-247
• APT40SM120J: 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус SOT-227
• APT50SM120B: 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус TO-247
• APT50SM120J: 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус SOT-227