ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL
РадиоЛоцман - Все об электронике

Micron Technology приступила к опытному производству микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками объемом 128 Mб

Micron

Micron Technology объявила о начале опытного производства микросхем флэш-памяти с многоуровневыми ячейками емкостью 128 Мбит. Новые микросхемы получили фирменное название Q-Flash. Micron уже поставляет данные чипы емкостью 32 и 64 Мбит, которые кстати полностью совместимы по контактам и функциям с чипами StrataFlash компании Интел.

Главной особенностью Q-Flash является использование многоуровневых ячеек памяти. Такие ячейки способны хранить сразу несколько бит информации, которые кодируются различными уровнями заряда. За счет этого плотность упаковки информации значительно повышается.

Аналогичная флэш-память, в ячейках которой могут храниться сразу два бита, выпускается компанией AMD. Ее технология несколько отличается от технологий Интел и Micron и называется MirrorBit. При этом AMD заявляет, что память MirrorBit быстрее и надежнее памяти с многоуровневыми ячейками, поскольку в случае с MirrorBit биты располагаются в дискретных и независимых друг от друга участках ячейки памяти.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

На английском языке: Micron Technology Announces Sample Availability of 128 Megabit Q-Flash Memory

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя