HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

STMicroelectronics анонсирует миниатюрные мощные MOSFET в корпусах с двухсторонним охлаждением для схем автоэлектроники

STMicroelectronics STLD200N4F6AG STLD125N4F6AG

STMicroelectronics (ST) анонсировала новые MOSFET в усовершенствованных корпусах PowerFLAT площадью 5×6 мм, двухстороннее охлаждение которых даст возможность увеличить плотность мощности в электронных блоках управления автомобилей. Новые MOSFET уже были выбраны компанией Denso – ведущим поставщиком передовых автомобильных технологий для основных автопроизводителей.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

STMicroelectronics - STLD200N4F6AG, STLD125N4F6AG

STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG рассчитаны на работу в цепях с напряжением до 40 В в составе систем управления двигателями автомобилей, цепей защиты от переполюсовки аккумуляторной батареи и высокоэффективных коммутаторов мощности. При высоте всего 0.8 мм корпус PowerFLAT с двумя охлаждающими поверхностями легко размещается на обратной стороне печатной платы, что увеличивает эффективность рассеивания мощности, в то время как электрод на верхней стороне обеспечивает дополнительный отвод тепла. Это позволяет конструкторам, увеличив допустимые токи и общую плотность мощности, уменьшить размеры электронных блоков управления, не жертвуя при этом функциональностью, техническими характеристиками или надежностью.

Транзисторы STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG с максимальным током стока 120 А и максимальными значениями сопротивлений открытого канала 1.5 мОм и 3.0 мОм, соответственно, гарантируют высокий КПД использования энергии и упрощают управление тепловыми режимами устройств. Кроме того, общие заряды затворов 172 нКл и 91 нКл и низкие емкости устройств обеспечивают эффективное переключение на высоких рабочих частотах.

Эти два 40-вольтовых MOSFET стали первыми устройствами ST в новом семействе транзисторов STripFET F6 со щелевой структурой затвора, которое, по мере наполнения новыми приборами, предоставит разработчикам автомобильных приложений широкий выбор диапазонов допустимых токов и напряжений. Новые MOSFET рассчитаны на работу в экстремально тяжелых условиях подкапотного пространства автомобиля при температурах до 175 °C. Приборы проходят стопроцентный выходной контроль на устойчивость к лавинному пробою, а смачиваемые торцы выводов корпуса позволяют полностью автоматизировать оптический контроль качества монтажа.

STLD200N4F6AG и STLD125N4F6AG были сертифицированы на соответствие стандарту AEC-Q101. В партиях из 1000 приборов цена одного транзистора начинается от $1.15. В течение этого года семейство будет расширено транзисторами серии STripFET F7.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: STMicroelectronics Introduces Automotive Power MOSFETs in Tiny 5x6mm Dual-Side Cooling Package

10 предложений от 7 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 120 А, 0.00127 Ом, PowerFLAT, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
166 ₽
AiPCBA
Весь мир
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
218 ₽
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
по запросу
Acme Chip
Весь мир
STLD200N4F6AG
STMicroelectronics
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя