Новая технология SuperMESH3 производства MOSFET-транзисторов STP6N62K3 и STP3N62K3 обеспечивает более низкое сопротивление открытого канала, что позволяет сократить потери мощности в импульсных преобразователях. Эту технологию отличает также высокая устойчивость к скорости нарастания напряжения (dU/dt) и большой запас по напряжению пробоя.
Новые транзисторы найдут применение в полумостовых коммутаторах электронных балластов ламп, а также в коммутаторах импульсных источников питания. Их применение позволяет существенно улучшить надежность и безопасность преобразовательной техники – светотехнических устройств и импульсных источников питания.
Основные характеристики STP6N62K3:
- рабочее напряжение до 620 В;
- рабочий ток до 5,5 А;
- сопротивление канала: 1,28 Ом;
- рассеиваемая мощность до 90 Вт;
- корпус TO-220.
Основные характеристики STP3N62K3:
- рабочее напряжение до 620 В;
- рабочий ток до 2,7 А;
- сопротивление канала: 2,5 Ом;
- рассеиваемая мощность до 90 Вт;
- корпус TO-220.
Внутренняя структура транзисторов STPxN62K3 показана на рисунке ниже.
Области применения: импульсные источники питания: квазирезонансные, прямоходовые, обратноходовые; энергосберегающие лампы; корректоры коэффициента мощности; источники бесперебойного питания.
Купить STP6N62K3 на РадиоЛоцман.Цены
