Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Silicon-on-insulator, SOI) является надежным решением этой проблемы.
В данной статье сравнивались три микросхемы драйверов полумостовых схем по их чувствительности к отрицательным напряжениям. Испытания были проведены как при статически приложенном напряжении, так и при импульсном воздействии, чтобы охватить различные ситуации, которые случаются на практике.
