Новое технологическое направление будет развиваться на базе НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха холдинга «Швабе». Научно-исследовательский институт одним из первых в России стал создавать сложные лазерные информационные системы. Решением правительства РФ институт определен базовой организацией ОПК, осуществляющей научную деятельность по развитию технологий радиофотоники.
Формирование на базе НИИ «Полюс» нового научного направления позволит проводить масштабные исследования и использовать новейшие разработки для создания радиофотонных систем в беспроводных и спутниковых сетях, лазерных дальномерах, антеннах на аэродромах, радиолокаторах и гироскопах. Дальнейшее развитие радиофотоники даст возможность телекоммуникационной отрасли перейти на передачу сверхбольших объемов информации на ультравысоких скоростях, превышающих существующие на сегодняшний день значения.
Руководителем приоритетного технологического направления назначен генеральный директор НИИ «Полюс», доктор технических наук, профессор Евгений Кузнецов. Возглавляемый им институт неоднократно подтверждал свои компетенции в области радиофотоники.
Так, в 2019 году в НИИ «Полюс» разработан мощный одночастотный 1550-нм РОС-лазер и налажено его серийное производство. Сегодня такие лазеры активно используются в системах передачи и обработки больших объемов данных, в высокоскоростных системах связи.
«Развитие отечественной радиофотоники – одно из условий технологического суверенитета нашей страны. Созданные на базе технологий радиофотоники устройства будут отличаться от имеющихся аналогов быстродействием, точностью, высоким уровнем помехоустойчивости и целым рядом других преимуществ. К работе мы планируем привлечь наших партнеров – ученых в области лазерных технологий, конструкторов, инженеров и других специалистов предприятий Ростеха», – отметил генеральный директор «Швабе», член Бюро Союза машиностроителей России Вадим Калюгин.
В настоящее время научные сотрудники НИИ «Полюс» совместно с коллегами из Национального исследовательского ядерного университета МИФИ разрабатывают модуляторы на основе гетероструктур на подложке фосфида индия. Этот полупроводниковый материал, работающий в диапазоне 1500-1600 нм, можно будет применить для создания фотонных интегральных схем, используемых в системах оптоволоконной связи и телекоммуникаций.
