Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC-диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем кремниевым диодам с быстрым восстановлением (FRED).
SiC SBD обладают весомыми преимуществами, одним из которых являются практически нулевые потери при переключении благодаря отсутствию обратного восстановления заряда, что делает их незаменимыми в высокочастотных применениях и системах с жесткими требованиями к эффективности. FRED-диоды тоже имеют свои плюсы. Они в 3…4 раза дешевле и характеризуются высокой устойчивостью к импульсным перегрузкам. Смогут ли SiC SBD их полностью вытеснить в ближайшие годы?
