Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

04-09-2014

Мощные нитрид-галиевые (GaN) транзисторы - конец эры кремния?

Что нужно от ключа? Чтобы он имел минимальное сопротивление, был максимально быстрым, с небольшой емкостью, ну и размер поменьше. Много вы видели таких транзисторов? Возможно, eGaN®FET окажутся именно такими.

Сравните характеристики «кремниевых» и GaN транзисторов:

В чем преимущества eGaN® технологии

Новые возможности для разработок:

  • Более высокие частоты переключения дают меньшие потери.
  • Меньшее сопротивление перехода увеличивает эффективность конструкции.
  • Маленький размер увеличивает удельную мощность.

Простота использования:

  • eGaN работают так же, как обычные N-канальные MOSFET, но только намного быстрее.
  • Демоплаты помогут быстро запустить проект.

Невысокая стоимость:

  • Используется обычный производственный процессе CMOS, но с меньшим количеством этапов производства.
  • Уменьшение стоимости изделия за счет сокращения количества пассивных компонентов.

Надежность:

  • Проверенные технологии.
  • Защищенные цепи питания.
  • Защита от радиации.


GaN транзистор является транзистором с широкой запрещенной зоной с превосходной проводимостью по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами. Работа в режиме обогащения позволит разработчикам воспользоваться преимуществами производительности GaN в приложениях, использующих переключение.


Обычно паразитная емкость и индуктивность уменьшают скорость переключения. Компактные размеры eGaN транзисторов дают ультранизкую емкость, LGA корпус дает низкую индуктивность, что в сумме обеспечивает беспрецедентную производительность при коммутации с точки зрения скорости, перерегулирования напряжения и звона.


Нулевой QRR так же уменьшает потери при выполнении переключений на высокой частоте, обеспечивая более высокую плотность мощности, более высокую частоту, более высокую точность переключения, высокое напряжение на шине и меньшее энергопотребление.

Области применения:

  • беспроводная передача энергии;
  • усилители с переменным смещением;
  • лидары;
  • аудиоустройства класса D;
  • изолированные DC-DC преобразователи;
  • POL-конверторы;
  • ВЧ усилители;
  • управление двигателями;
  • медицина;
  • аналоговые переключатели;
  • светодиодное освещение.

Для управления ключами рекомендуется использовать LM5114 или LM5113

Параметры некоторых транзисторов приведены в таблице.

Part
Number
 Package
(mm)
VDS
Max
RDS(ON)
(mΩ)
@5V
GS
QG
typ
(nC)
QGS
typ
(nC)
QGD
typ
(nC)
QOSS
typ
(nC)
QRR
(nC)
CISS
(pF)
COSS
(pF)
CRSS
(pF)
ID
(A)
EPC2023
LGA 6.1x2.3
30
1.3
20
5.8
1.9
28
0
2300
1300
56
60
EPC2024
LGA 6.1x2.3
40
1.5
19
6.4
2
32
0
2100
1200
44
60
EPC2015
LGA 4.1x1.6
40
4
10.5
3.0
2.2
18.5
0
1100
575
60
33
EPC2815
LGA 4.1x1.6
40
4
10.5
3.0
2.2
18.5
0
1100
575
60
33
EPC2014
LGA 1.7x1.1
40
16
2.5
0.67
0.48
4.8
0
300
150
10.2
10
EPC8004
LGA 2.1x0.85
40
125
0.358
0.110
0.031
0.493
0
45
17
0.4
4.4
EPC8007
LGA 2.1x0.85
40
160
0.302
0.097
0.025
0.406
0
39
14
0.3
3.8
EPC8008
LGA 2.1x0.85
40
325
0.177
0.067
0.012
0.211
0
25
8
0.2
2.7
EPC2020
LGA 6.1x2.3
60
2
16
5.0
2
42
0
1800
1100
31
60
EPC8009
LGA 2.1x0.85
65
138
0.380
0.116
0.036
0.769
0
47
17
0.4
4.1
EPC8005
LGA 2.1x0.85
65
275
0.218
0.077
0.018
0.414
0
29
9.7
0.2
2.9
EPC8002
LGA 2.1x0.85
65
530
0.141
0.059
0.009
0.244
0
21
5.9
0.1
2*
EPC2021
LGA 6.1x2.3
80
2.5
15
3.8
2.1
56
0
1700
1000
24
60
EPC2022
LGA 6.1x2.3
100
3.2
13
3.7
2
62
0
1500
940
18
60
EPC2001
LGA 4.1x1.6
100
7
8.0
2.3
2.2
35
0
850
450
20
25
EPC2801
LGA 4.1x1.6
100
7
8.0
2.3
2.2
35
0
850
450
20
25
EPC2016
LGA 2.1x1.6
100
16
3.8
0.99
0.7
20
0
433
225
4.3
11
EPC2007
LGA 1.7x1.1
100
30
2.1
0.52
0.61
10.2
0
205
118
6.6
6
EPC8010
LGA 2.1x0.85
100
160
0.354
0.109
0.032
1.509
0
47
18
0.2
3.4
EPC8003
LGA 2.1x0.85
100
300
0.315
0.110
0.034
1.1
0
38
18
0.2
2.5
EPC2018
LGA 3.6x1.6
150
25
5.0
1.3
1.7
40
0
480
270
9.2
12
EPC2818
LGA 3.6x1.6
150
25
5.0
1.3
1.7
40
0
480
270
9.2
12
EPC2010
LGA 3.6x1.6
200
25
5.0
1.3
1.7
40
0
480
270
9.2
12
EPC2019
LGA 2.8x0.95
200
43
2
0.6
0.33
17
0
230
110
0.9
9
EPC2012
LGA 1.7x0.9
200
100
1.5
0.33
0.57
11
0
128
73
3.3
3

Ознакомиться с ассортиментом eGaN транзисторов
 

Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Рекомендуемые публикации по теме:
Новости  »
АО «НИИЭТ» разработал мощные СВЧ GaN транзисторы для радиопередающей аппаратуры
Новости  »
Sirenza Microdevices достигла рекордных показателей по мощности и шумовым характеристикам для нитрид-галиевой полупроводниковой технологии
Новости  »
EPC представляет две eGaN микросхемы, объединяющие мощные высокочастотные GaN МОП-транзисторы и драйверы затворов
Новости  »
Texas Instruments выпускает мощные полевые МОП-транзисторы в инновационных корпусах DualCool
Статьи  »
Наследие IR: мощные МОП-транзисторы HEXFET

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Рейтинг@Mail.ru